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NVTFS4824N
TYPICAL CHARACTERISTICS
2500
10
2000
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
8
Q T
1500
6
1000
4
Q gs
Q gd
500
0
0
C rss
10
20
C oss
30
2
0
0
10
20
I D = 23 A
T J = 25 ° C
30
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
1000
60
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage vs. Total
Charge
100
V DD = 15 V
I D = 23 A
V GS = 4.5 V
t d(off)
40
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t r
10
1
t f
t d(on)
20
0
1
10
100
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
75
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
I D = 38 A
100
1 ms
10
10 m s
50
1
0.1
0.01
V GS = 4.5 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
100 m s
10 ms
dc
25
0
0.1
1
10
100
25
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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